• 基于STM32F100C6的无线程控微加热平台设计
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    基于STM32F100C6的无线程控微加热平台设计
     
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      温度是热动力学基本参数,其测量和控制在生产生活和科学研究中具有广泛应用和重要意义,如冶金、采矿、制冷。其中在化工、生命科学等领域,有时需要温控平台便携、微型,或尽量避免人员在现场的操作。
     
      本文针对该需求,基于意法半导体公司最新推出的STM32F100C6无线单片机设计了由PT100温度检测、PWM驱动加热、Zigbee无线通信的数字闭环无线微型加热平台,并编程实现了对该微加热平台的远程温度控制,确保了节点的移动灵活性与性能稳定性。
     
      考虑到器件成本、测温范围、检测电路复杂程度、响应时间,本设计采用薄膜封装PT100元件,相比于传统铂丝PT100,成本更低,响应更快,0.5小于10s,线性测温范围可达-200℃~800℃。利用高温导热胶将PT100与加热器粘合,确保机械可靠性和高热导率。
      激励电流进入PT100后,输出电压与温度保持严格线性关系。该原始电压经过后级射随器缓冲,进入S-K二阶放大滤波电路,截止频率为40Hz,品质因数为0.707.用于设随和放大滤波的运放芯片选用ADA4501-2,集成双运放,1.8V低功耗供电。经上述调理后,蹬蘐100温度范围在-50℃~500℃变化中,由S-K电路输出的模拟电压标称范围为0.1~1.1V.该模拟电压可直接被STM32W108内置的ADC(1.2V参考电压)进行模数转换,实现温度反馈。
      本设计中的加热器是边长为1cm的正方形薄片陶瓷电阻加热器,通过的功率即为加热功率。PWM波频率设置为100Hz,占空比由0到100%,由STM32W108的定时器模块给出,接入低功耗、大功率MOS管CDS16301Q2的栅极,而源-漏极作为加热器的电流通路。该MOS管漏电流仅为1mA,最大源漏电流为5A.测得该加热电路在室温下开环加热稳态值可达约500℃,功耗4W.
      主控单元采用ST公司于2009年推出的32位超低功耗、苛刻环境无线处理器STM32F100C6,芯片基于ARMCortex-M3内核,处理能力强,性价比高。芯片集成8KBRAM和128KBFLASH,并带有丰富的接口资源,如本设计用到的ADC模块、定时器PWM模块、RF通信模块、UART模块。
      供电系统采用单外置3.3V电压供电,片内变压器分别转为1.8V用于存储和模拟供电、1.25V用于内核供电。时钟系统采用外置24MHz无源晶体和内置10KHz时钟发生器产生,并经过内置分频电路为内核、内部总线、RAM、定时器等提供时钟信号。
      该模块符合IEEE802.15.4MAC层标准,并提供对Zigbee的最大程度硬件支持。芯片同时自带了符合EmberZigbee的硬核协议栈。外围电路方面,采用PCB微带倒F天线设计方案,并选用SOSHIN公司推出的DBF71A001射频通信滤波器,集成了巴伦和2.45GHz带通滤波器功能,确保最大有效功率传输。
      STM32F100C6的嵌入式软件主程序如图2所示。上电后,首先进行处理器内核、硬件访问层初始化和板级初始化,包括内存空间配置、启动AD、无线接收配置等。当有RF接收事件发生时,硬件将该事件写入RF接收标志寄存器和相应缓存。随后进入whlie(1)主循环,查询RF接收状态寄存器,如有接收数据包,则按照数据包内指令配置目标温度;如无,则按照上次温控目标温度进行配置。

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