瑞萨电子汽车控制系统用R5F35L23KFE族低功耗微控制
瑞萨电子汽车控制系统用 R5F35L23KFE族低功耗微控制器
赛普拉斯半导体公司宣布推出五款基于ARM Cortex-M为内核的微控制器产品，为其FM4 MCU系列新增3款高性能灵活MCU，并且为FM0+产品线新增2款高能效MCU，进一步拓展了公司基于ARM内核的嵌入式处理器组合。
赛普拉斯拓展了其高性能R5F35L23KFE灵活MCU产品系列，推出三款基于ARM Cortex-M4的微控制器。FM4微控制器工作频率高达200MHz，支持多组可用于电机控制、工厂自动化和家电应用的片上外设。该产品系列为工业4.0提供所需的低延时、可靠的机器对机器通信。
R5F35L23KFE产品线与赛普拉斯汽车用微控制器家族、PSoC 可编程片上系统解决方案携手，扩展了赛普拉斯基于ARM内核的嵌入式处理器产品组合。
R5F35L23KFE微控制器产品组合的CoreMark高分纪录充分展示了其优越性能。CoreMark测试由嵌入式微处理器基准测试联盟设计，旨在评测处理器内核及其内存子系统的性能，以便快速对比不同的处理器。现已量产的S6E2C系列获得了200MHz组别中675分的业界CoreMark最佳成绩，新型S6E2G和S6E2H系列分别在180MHz组别和160MHz组别取得了608分和540分的CoreMark领先成绩。该产品系列拥有采用灵活数据速率和IEEE 1588以太网的控制器局域网等高速通信接口，以及基于硬件加密的加速器，实现了强大、可靠的机器对机器通信方式。FM4微控制器系列配有高达2MB的闪存和256KB的 SRAM存储，基于硬件的集成功能以及符合标准的固件库，能够简化功能性安全标准合规的难度。
R5F35L23KFE MCU产品系列中的S6E2C系列内置最高可达200 MHz的CPU、2MB闪存、256KB SRAM、190个GPIO、27个通信外设、36个数字外设和4个模拟外设，专为高端电机控制和工业应用而设计。S6E2G系列内置最高可达180 MHz的CPU、1MB闪存、192KB SRAM、153个GPIO、20通信外设、33个数字外设和3个模拟外设，专为工业自动化和表计应用而设计。 S6E2H系列内置最高可达160 MHz的CPU、512KB闪存、64KB SRAM、100个GPIO、12个通信外设、27个数字外设和4个模拟外设，专为电机控制和家电应用而设计。
赛普拉斯R5F35L23KFE MCU 产品提供卓越的性能：
· 架构优化，采用16KB闪存加速器，无需等待状态便可执行操作，能够快速处理数据
· 72MHz的闪存访问速度，高于其他Cortex-M4 MCU
· 2个独立的闪存组，支持在一组闪存上进行编程的同时在另一组上执行程序。
该产品组合能提供安全的解决方案：
· 支持闪存和SRAM存储器纠错码(ECC)等基于硬件的功能，具备一个存储器保护单元
· 符合国际安全标准的固件库以实现功能性安全算法
· 5V I/O提高工业系统的抗噪性能。
该产品组合支持以下接口：
· IEEE 1588以太网–用于高速批量数据传输
· CAN)和CAN-FD–用于时间关键型工业网络
· 外部总线接口–用于连接NOR闪存、NAND闪存、SDRAM和SRAM内存
