飞兆增添功率链分立式器件功率损耗和效率分析
飞兆增添功率链分立式器件功率损耗和效率分析工具
——新模型提供分立式功率半导体、变压器和电感设计值的最佳组合
飞兆半导体公司(纽约证券交易所代号：FCS)，全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商，可在一分钟内提供完整的设计–进一步强化，引入传动系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率损耗和效率分析工具。
这些新模型可根据输入和输出条件用于100W至3kW的设计，为设计人员提供功率因数校正(PFC)、相移全桥加次级端同步整流(PSFB+SR)功率链分立式器件分析，以及与这些拓扑相关的器件组合矩阵。
根据用户指定的电气和机械规格，新模型可提供分立式功率半导体、变压器和电感设计值以及物料成本(BOM)的最佳组合。它还可以提供仪表盘视图，指示转换器系统和器件功率损耗、器件结温以及整个工作条件范围内的进一步组件微调。
关于PSW模型，使用这些工具的设计人员能够接受默认的推荐值，或花些时间优化重要的细节以满足独特的设计需要。设计人员可以快速、准确地估计设计性能，并随时改进设计选择。这些工具还允许他们花时间执行详细的模拟分析，检验自己的设计及硬件原型能否顺利运行。
功率链分立式模型由相移全桥和次级端同步整流(PSFB+SR)模型和功率因数校正(PFC)模型组成。它们是简单易用、功能强大的在线模拟工具，可为设计人员提供：
·兼容市场上最流行的PSFB+SR控制IC(UCC28950和UCC3895)的优化工具。
·完整的功率链分立式器件设计，包括最佳的飞兆MOSFET、IGBT和整流器选择。用户可选择最佳的桥接整流器、MOSFET/IGBT和功率整流器部件编号(PN)，或者让工具从用户指定的系统设计输入中推荐。
·优化的功率链分立式设计，针对需要PFC和/或PSFB+SR的电源。
·功率链分立式组件损耗与硬件关联，可实现单独方程计算无法企及的最高相对精度。
·在一次分析内比较不同组功率链分立式组合的能力。该模型突出了飞兆的MOSFET和IGBT技术产品组合，包括SuperFET MOSFET、SuperFET IIMOSFET、SupreMOS MOSFET、PowerTrench?MOSFET和场截止IGBT。
·该选项可让工具推荐或微调功率链分立式组件，将乏味、高度重复的手动尝试和错误/测试设计步骤自动化，节省宝贵的时间。
·系统的直观表示和不同线路和负载条件下的主要组件功率损耗以及效率允许设计人员回到在线设计步骤，在制作原型之前重新平衡系统和组件损耗。
这些新模型在评估不同组合时节省了设计人员的时间。PSW不按每组合一周的典型基准测试时间进行，而是快速、准确地模拟每个组合–在线路和负载条件下，工具和硬件测量结果之间通常有约2%的差异。
